• 解析中国半导体产业的发展策略
    发布日期:2021-11-21 04:21   来源:未知   阅读:

  2015年7月,中国发布《中国制造2025》行动纲领,力争通过“三步走”实现制造强国的战略目标:

  第三步,新中国成立100年时,制造业大国地位更加巩固,综合实力进入世界制造强国前列。

  半导体产业是该战略里的核心产业。根据《中国制造2025》的规划,2020年半导体核心基础零部件、关键基础材料应实现40%的自主保障,2025年要达到70%。然而,截至2019年,实际国产化比例仅为15.7%,预测2024年才能达到 20%。

  中美贸易摩擦,尤其是美国对华为和中芯国际的制裁,将造成提升国产化比例更为艰难,但也加强了中国建设自主半导体生态的紧迫感。

  好消息是,此刻正是中国投资半导体产业,进而调整中国半导体产业结构的好时机。

  半导体行业有一个被称为“硅周期”的周期,每隔三到五年就会重复一次繁荣到萧条。半导体市场目前正在繁荣波段。

  据SEMI(国际半导体产业协会)预测,2020年半导体生产设备市场较2019年会增长15%,增至549亿美元(约人民币3843亿元),创下历史新高。存储芯片泡沫破灭带来的下降行情预计在2021年见底反弹,之后以每年约5%-6%的速度增长。5G,以及新冠疫情对在线经济的需求都是半导体产业下一轮增长的关键驱动力。

  新国际形势下,科尔尼认为,中国半导体产业要想加速国产化,就需要在多个环节调整之前的发展策略。

  半导体产业链包括原材料与设备、设计、制造、封测四大环节。在半导体设计领域,中国已经涌现了诸如华为海思等具有国际竞争力的企业,下一步的发展逻辑应该抓住半导体代工,继而带动更上游的原材料和设备,这也是为什么中国国家集成电路产业投资基金(下称“大基金”)一期投资主要以半导体制造和设计为主。

  但美国通过制裁中芯国际(中芯国际集成电路制造有限公司)已经严重阻碍了这一进程。

  中芯国际是中国大陆最大的芯片代工企业,也是中国大陆目前唯一正在研发7纳米先进制造工艺的企业,但该公司已于2020年12月18日被美国列入禁运实体名单,10纳米及以下半导体芯片生产所需的特定技术与设备将禁止向其出口,以防止此类关键的技术用于中国的军民融合。

  科尔尼认为,中芯国际等中国芯片代工厂应改变策略,收回此前在前沿技术的投资,稳步提高在芯片成熟工艺代工市场的竞争力。

  预计在汽车、工业和通信应用等领域,对基于成熟工艺的芯片用量将大幅增长。这些行业使用的芯片并不需要采用14纳米以下先进工艺,但对高耐热(散热)、低延迟、低功耗、高安全性等要求很高,同样也考验芯片代工厂的能力。中芯国际要想在此领域与台积电等其他代工企业拉开差距,需要将已经分配到前沿领域的资金撤回,转而加强在成熟工艺上的投资。

  2015年,荷兰恩智浦2015年以118亿美元收购美国飞思卡尔,一跃成为全球第一大汽车半导体厂商,且至今仍保持着领先地位。

  瑞萨电子在车载半导体和车载微电脑上具有优势,而Intersil则在航天、航空和军事应用的模拟半导体(特别是电压控制)具有优势。瑞萨电子认为,Intersil的能力完全可以转移到车载领域。此外,电压控制半导体是“匠人领域”,需要极强的专业知识和技术积累,这使得后进者很难追赶。通过收购进入这一领域,是一个非常明智的战略选择。

  存储芯片是中国另一个寄予希望的突破口。这是因为存储芯片量大,每年存储芯片出货量占到全球芯片产量的三分之一,其次存储芯片更加标准和通用,对生态要求远不如计算芯片。

  但存储芯片市场格局高度寡头化,主要被三星、SK海力士、美光等少数几家存储芯片厂家所把持,中国存储芯片的自给率不到5%。

  2016年,中国三大存储芯片厂商浮出水面,分别是清华紫光集团出资的长江存储科技有限责任公司(下称“长江存储”)、长鑫存储技术有限公司(下称“合肥长鑫”),福建省晋华集成电路有限公司(下称“福建晋华”)。其中,长江存储负责3D NAND Flash(闪存)芯片,合肥长鑫负责移动式DRAM(内存),福建晋华负责利基型DRAM。

  截至目前,长江存储的NAND Flash研发进展顺利。该公司在2019年实现64层3D NAND Flash的量产,正在计划实现128层的量产;如果成功量产128层3D NAND Flash,该公司将在技术上与顶级厂商并驾齐驱,科尔尼预计,2021年长江存储的市场份额将达到8%。

  合肥长鑫虽然在2020年实现了DRAM的量产,但其工艺技术水平不如全球三大DRAM芯片公司(三星、美国美光、SK海力士),目前对市场影响也很小。

  福建晋华采用中方出资,联电(UMC)出技术的模式,但在2018年10月晋华被美国商务部列入禁运实体名单,目前联电也终止了与其的技术合作,晋华业务基本处于停滞状态。

  紫光集团(长江存储的母公司)日前也宣布进军DRAM,但由于没有制造封装方面的专业知识,自主研发预计需要三到五年的时间。

  如上所述,中国内存产业目前面临的最大挑战是如何加强实力。如果能够收购全球三大DRAM公司中的任何一家,就能够切实进军并掌控DRAM产业,但在当前国际形势下,此类跨国收购几无可能。此前,紫光集团意图收购美光和铠侠株式会社,并计划出资西部数据公司,但这些计划都因各国当局阻挠而没有成功。

  因此,最具现实意义的路线是加强技术人才招聘,此前韩国三星就曾以高薪将日本技术人员招聘至公司,提升了整体的技术水平。

  半导体设备企业大致可分为“光刻设备企业”、“镀膜沉积/刻蚀等其他设备企业”等。这是因为在主要设备中,光刻设备所需要的技术尤其特殊,全球市场上的玩家玩法也完全不同。

  在国产光刻机领域中,上海微电子(上海微电子装备集团股份有限公司)一枝独秀。其产品主要采用ArF、KrF和i-line光源,目前只能达到90nm制程,且主要用于IC的后道封装和面板领域,比最先进一代设备落后了20年到30年,上海微电子今后要想在全球范围内提高自己的地位,从外部引进技术必不可少。

  例如,上海微电子可以从尼康和佳能引进技术,具体技术引进对象包括i-line、KrF、干法ArF和沉浸式ArF。如果要获取EUV(极紫外光刻)技术,则需要ASML的技术支持,但是作为全球龙头企业的它们,无论是收购,技术合作还是人才招聘,都是极其困难的。所以可以从EUV之外的ArF设备厂商进行技术引进和学习。

  尼康在沉浸式ArF光刻设备的全球市场份额不到10%,在干法ArF光刻设备的全球市场份额约为30%,但目前,由于开发成本的缩减,相关工程师在尼康的机会也在逐步减少。佳能在i-line和KrF方面具有技术优势(它已经退出了ArF之后的技术开发)。通过吸收这两家公司的技术和人才,可以获取从i-line到沉浸式ArF的技术开发能力。

  通观整个半导体行业,设备的客户黏性很大,一旦签约,很难被替换。在迅速崛起的中国半导体市场,如果能够提供从i-line到沉浸式ArF的全线服务,构筑自己的优势定位,就能与客户公司一起积累技术知识,最终具备在全球范围内竞争的技术能力。过去,ASML也是很早就进入到还在起步期的韩国和中国台湾半导体市场,伴随着其成长而巩固了市场地位。

  为了实现这一目标,科尔尼认为,中国光刻设备行业下一步可考虑通过部门收购或者人才招聘引进的方式获取相关技术。

  例如,2008年经济危机后,日本内存芯片企业尔必达因现金流出现问题进入破产重组,美国公司美光趁机于2013年收购了尔必达。

  当时这一收购虽然在日本国内引发大量负面评论,但如今,尔必达的广岛工厂已成功转型为美光科技内存业务的核心生产基地,担负最前端产品的研发和生产。迄今为止, 美光已向该工厂投入了数千亿日元,且计划继续投入同样规模的资金,并通过招聘应届毕业生等措施扩充约500名工程师的岗位。

  国产镀膜沉积/刻蚀设备领域的主要公司是北方华创科技集团股份有限公司(下称“北方华创”)。

  北方华创是2016年,由北方微电子(生产CVD、PVD和刻蚀设备)和北京七星华创(生产七星/清洗设备和质量流量控制器)并购重组成立的公司,并于2017年收购了美国清洗设备公司 Akrion Systems,拥有较为丰富的设备产品线。

  另外,中微半导体设备(上海)股份有限公司已经成功生产出5nm的蚀刻机,并开始获得台积电及长江存储等公司的刻蚀设备订单。

  和光刻设备行业类似,中国在镀膜沉积/刻蚀等领域也不具备国际最先进技术。也就是说,它们无法处理需要精细加工的关键工艺,因此开发能够处理这些工艺的干式蚀刻技术和ALD设备就成为当务之急。

  外部合作仍然是技术强化的较好选择,如与日立高新或爱发科(ULVAC)合作。

  日立高新的半导体部门在对精密度有极高要求的栅极蚀刻设备方面拥有超过10%的市场份额,但是该公司可能会因为业务优化出售半导体部门。爱发科拥有PVD和金属CVD/ALD设备。这两家公司虽然都没能进入全球第一梯队,但它们在技术上都有过人之处。

  近年来,刻蚀和镀膜沉积等关键工序中,上下游工序连接性的重要性不断被提高,如果一家公司能同时拥有刻蚀和镀膜沉积的高水准设备,则会是一大优势。和光刻设备行业一样,如何利用自己的优势,提前进入还在成长期的中国市场,建立自己的竞争优势,是一个关键战略

  半导体材料大致可分为前端晶圆制造材料和后端封装材料,其中,晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、抛光液等。封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、热接口材料等。

  晶圆是制造半导体的关键材料。随着半导体生产技术的不断提高,晶圆整体向大尺寸发展,晶圆尺寸从早期的2英寸、4英寸,发展为现在的6英寸、8英寸和12英寸。

  8英寸与12英寸是目前晶圆主要的尺寸。2020年之前,中国境内主要以8英寸晶圆厂为主,随着大基金的持续投入和地方政府的配套资金支持,多个12寸晶圆厂项目落地中国大陆。

  SEMI的数据显示,2017年-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座,其中有26座设于中国大陆,占全球总数的42%。

  好消息是,中国晶圆厂的激增将促使全球晶圆生产向中国转移,根据IC Insight统计,2018年中国大陆晶圆产能243万片/月(等效于8寸晶圆),占全球晶圆产能12.5%。预计到2022年,中国大陆晶圆厂产能将达410万片/月,占全球产能17.15%。

  但晶圆的国产化比例仅有5%-10% 左右,特别是供尖端领域使用的12英寸晶圆,才刚刚初步形成商业化供给。

  科尔尼认为,中国不仅有必要建立自己的大型晶圆厂,保证相应的产量、质量和成本水平,还应加快整合中国境内8 英寸与12英寸的晶圆厂,建成有竞争力的大型晶圆厂商。

  2016年,晶圆行业排名第六的中国台湾环球晶圆(GlobalW)收购了全球第四大半导体晶圆供应商SunEdison Semiconductor(SEMI),一跃成为行业第三。

  当时,晶圆行业50%的市场份额是由信越化学和SUMCO这两家日本企业所占据。通过合并,台湾环球晶圆打破了寡头垄断的局面。

  封装材料包括电子特气、CMP抛光材料、光刻胶等,在中国似乎都有供应商,但还未对全球巨头构成威胁,其中一个原因可能是材料比设备和器材更难进行逆向工程, 很难后来者居上。

  第一大趋势是,人们将越来越看重材料与关键工艺(光刻、刻蚀、镀膜沉积)之间的契合度,材料设计若考虑到了前后工艺影响,将更有价值。这意味着,通过收购和整合国内外相关企业,获取丰富的产品线将变得非常重要。特别是蚀刻和沉积这两种工艺是同时进行的,如果能同时提供这两种材料,提出相应的建议,对提升材料公司的竞争力很有帮助。

  美国材料厂商Entegris(英特格)对Versum的整合意图就是典型案例。Entegris擅长生产镀膜沉积用气体,为了业务互补,它曾经计划收购在蚀刻用气体有优势的Versum,并一度与其达成初步的整合协议,但后来默克公司开出更好的条件“抢走”了Versum,如果Entegris和Versum能够整合,就会造就一家具有强大跨工艺能力的材料企业。

  第二大趋势是,材料企业正在摆脱“按照客户提出的规格书开发材料”的主流工作方式,主动参与到从生产工艺开发及规格书确定的过程中,根据需要与设备商进行合作。例如,材料厂家Versum与Lam Research(全球第三大半导体设备公司)合作,解决了3D闪存研发中的一个较大的技术难题。

  中国的材料厂家也需要与北方华创等设备厂家多开展协作。由于材料研究人员往往对设备缺乏基本了解,因此,最好能在公司内部建立相应的制度和知识库,以掌握最基本的知识,才好与外界进行合作。

  这篇博客就来分享一下51单片机最小系统的制作以及怎么下载程序首先准备的材料有:一块板子,一块89c5....

  51单片机~运放控制声控电路,运算放大器(各模式精细详解),NE555时基电路芯片分析

  51单片机~运放控制声控电路(一)驻极体话筒:(二)运算放大器:说明:在使用时V+和V-之间没有压差....

  华为芯片基础平台HUAWEI HiAI Foundation助力开发者高效灵活开发

  自2017年麒麟970发布至今,端侧AI经历了开创先河到产业快速发展的巨变。一方面,麒麟芯片的AI性....

  1、CPU(Central Processing Unit),是一台计算机的运算核心和控制核心。CP....

  今天给大家推荐的是一款PCIe单口2.5G网卡,其采用全新原装Inter I225V网卡芯片,它具有....

  随着人们生活水平的提高,在休闲时刻都喜欢听听歌、打打游戏之类的,因此蓝牙耳机就变成我们生活中的必需品....

  DP1363F是高度集成的收发器芯片,用于13.56Mhz的非接触式通讯。DP1363F收发器DP1....

  中科声龙正式加入高通量计算产业联盟, 中科声龙坚持以客户需求为导向,未来将携手更多优秀合作伙伴,为广....

  CS5268是一种高度集成的单芯片,适用于多个细分市场和显示应用,如拓展坞、扩展底座等。 2、CS5....

  =========================通用工控硬件平台:================....

  这里写目录标题一级目录二级目录三级目录1、STM32一级目录二级目录三级目录最初的打算是寒假学一下S....

  一、STM321.STM32是什么意思:ST:意法半导体M:基于ARM平台的Contex-M内核32....

  前言 内存问题是一个普遍问题,但是却普遍缺少关注度,具体有以下几个原因: 内存问题相对比较隐蔽,表现....

  STM32F103ZET6单片机内部资源1.时钟,复位和电源管理(1)2.0V~3.6V电源和IO电....

  临床医学全面走向个性化医疗诊疗是当今医学发展的一大方向,精准的体外诊断技术是正确诊疗的基本保证。而体....

  最近知乎上,关于芯片行业工资问题经常可以热搜, 如何看待XX芯片公司180W招聘芯片工程师? 如何看....

  华为自研芯片生产启航!28nm芯片量产?华为余承东:不放弃手机业务 2023年王者归来

  华为消费者CEO余承东近期在消费者业务内部宣讲会上表示,华为手机还会做下去,2023年要王者归来。有....

  飞凌单片机资料下载选择芯片类型:MCU-

  GPIO选择芯片型号:FM8PE53BIDE工具安装:资料下载飞凌官网选择芯片类型:...

  次阅读 --

  单片机技术概括何为单片机?单片机什么样子?“单片机是是一种集成电路芯片,是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中...

  次阅读 --

  点击查看:基于单片机智能睡眠枕整套设计方案简要概述:智能睡眠枕是一款帮助人们了解到自己睡眠状况,又配备了闹铃的枕头。它由...

  次阅读 --

  该密码锁是以STC89C52单片机为核心,加上需要的硬件部分,实现密码的设定、保存、检测,从而控制电路的闭合是否进行开锁的决...

  次阅读 --

  次阅读 --

  CS5463芯片怎样通过SPI和单片机进行通信呢? 如何使用STM32F1/F4驱动CS5463模块呢?...

  次阅读 --

  基于STM32单片机智能RFID刷卡汽车位锁设计(论文)摘要在车位日益紧张的今天,如何避免私家车位被....

  次阅读 --

  MCU经过多年发展,性能也得到了很大的提升。因为MCU必须顺序执行程序,所以适于做控制,较多地应用于....

  次阅读 --

  N32G452系列微控制器产品采用高性能32位ARM Cortex™-M4F内核,集成浮点运算单元(....

  次阅读 --

  近两年国内芯片设计类企业呈现出一种趋势,之前专注于存储、模拟、电源、射频甚至AI等领域的设计公司,纷....

  次阅读 --

  MS8006C参数特性介绍 32位MCU ARM® Cortex®-M0+ 内核

  MS8006是一款内嵌32位ARM®Cortex®-M0+内核的超低功耗、LowPinCount和宽....

  次阅读 --

  ALGOLTEK AG9311是一款带PD3.0 Type C转HDMI的转换芯片,它主要用于usb....

  次阅读 --

  先进半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子公司今天宣布,它正在进入现场可编程门阵列 (FPGA) 市场,....

  次阅读 --

  Power10 CPU是当前业界最高端的通用处理器,旨在为用户提供满足未来计算需求的平台,树立了企业....

  次阅读 --

  金鉴检测选择分享这个案例,并不是为了评判某家公司产品的质量问题,因为通过单个的生产次品来评价整体的产....

  次阅读 --

  2021年11月17日,由全球知名电子科技媒体《电子发烧友》主办的2021电机控制先进技术研讨会暨B....

  次阅读 --

  近日,灿勤科技发布业绩预告,预计2021年1-9月营业收入24,800万元至25,000万元,同比上....

  次阅读 --

  据阿里巴巴达摩院预测,2021年以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用的大爆发。据公开资料显....

  次阅读 --

  本期电路赏析题由社区之星李岭提供

  本活动旨在通过对电子线路图的分析和回答有关问题,来展示自我、提升技能、掌握经验。 ...

  次阅读 --

  工业是立国之本,强国之基。在现代工业发展尤其是半导体生产工艺的发展过程中,芯片的尺寸越做越小,成本越....

  次阅读 --

  51单片机的自学之路(7)——LED点阵实验,在16*16的LED屏幕上,分别显示点,字,图形。

  LED点阵实验,显示点。在了解1616的LED点阵之前,先了解下88的点阵。8*8 点阵共由 64 ....

  次阅读 --

  Q1 一般塑封最小的die尺寸是多少呢?0.4mm*0.4mm这么小的可以封装吗? A 可以做的。 ....

  次阅读 --

  如今,随着元宇宙概念的新起,再加上全球各大厂商纷纷在元宇宙领域加码加注,导致现在的元宇宙概念越来越火....

  次阅读 --

  LDR2001 芯片是乐得瑞科技设计的一个免驱的 USB 转串口的 CDC 类芯片,可以实现USB ....

  次阅读 --

  nRF21540 DB 包含了nRF21540开发套件(DK)和nRF21540评测套件(EK)。 ....

  次阅读 --

  以前的芯片编程,通常是将芯片放在专用编程工具上进行,由于大部分都是插件封装,也还是比较方便的,但随着芯片集成度越来越高,...

  次阅读 --

  STM32CubeMX是什么? 怎样去安装STM32CubeMX5.0.1软件包呢?有哪些步骤? ...

  次阅读 --

  485芯片有何功能? 485芯片的接收端口与发送端口有何作用? ...

  次阅读 --

  2021年11月17日,江苏润和软件股份有限公司(以下称“润和软件”)与双猴科技有限公司(以下称“双....

  次阅读 --

  特摩斯呼气式酒精检测仪是酒精测试仪器中最常用的一种,它只需呼入被检测者的气体即可快速检测出酒精含量,....

  次阅读 --

  作为三星SAFE生态系统的重要合作伙伴之一,芯和半导体2021年11月17-18日参加三星Found....

  次阅读 --

  大家好,我是ZhengN。本次给大家分享一些芯片原厂的代码仓库,这些资源已收录到咱们嵌入式大杂烩的资....

  次阅读 --

  华大HC32L110 / HC32F003 / HC32F005 系列硬件开发指南

  适用对象系列产品型号HC32L110HC32L110C6UA / HC32L110C6PA / HC....

  次阅读 --

  1.BL8810说明 BL8810是一款USB 2.0读卡器控制器,采用高度集成的单芯片解决方案,旨....

  次阅读 --

  匈牙利籍数学家冯·诺依曼在方案的设计上做出了重要的贡献。1946年6月,他又提出了“程序存储”和“二....

  次阅读 --

  01 存储器划分 SWM181xB的Flash总大小为120K,其中前96K用于APP,后24K用于....

  次阅读 --

  LDR9201 是深圳市乐得瑞科技推出的高度集成的单芯片 USB 音频控制器,内置时钟,为 耳机应用....

  次阅读 --

  上拉电阻:1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平....

  次阅读 --

  1:摩尔定律 1965年,硅谷传奇,仙童“八叛徒”之一,英特尔原首席执行官和荣誉主席,伟大的规律发现....

  次阅读 --

  在当前迅猛发展的信息化时代,信息数据已经成为核心资产,个人隐私与数据安全越来越受到重视。不管是个人、....

  次阅读 --

  NXP LPC1768最小系统板硬件介绍关键字:NXP LPC1768 LPC1700 ARM Co....

  次阅读 --

  RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V

  次阅读 --

  0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚

  V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...

  次阅读 --

  4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...

  次阅读 --

  4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...

  次阅读 --

  NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

  5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...

  次阅读 --

  0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...

  次阅读 --

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...

  次阅读 --

  是一款线 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:

  次阅读 --

  是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...

广东伟克体育科技有限公司是一家专注于提供高品质的健身器材,体育器材以及健身房全套解决方案的专业体育设备公司,运动器材采购咨询020,8225,7419